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VN10KN3-G-P002相关型号
  • DSC6011CI2A-018.0000

    标准时钟振荡器 MEMS Oscillator, Ultra Low Power, LVCMOS, -40C-85C, 25ppm, 3.2x2.5mm

  • DSC1001DI1-010.0000

    标准时钟振荡器 -40C - 85C 50 ppm 010.0000MHz

  • DSC1122BI2-155.5200

    标准时钟振荡器 MEMS Oscillator High Perf Single LVPECL Output -40C-85C 25ppm

  • DSC1122BI2-114.2850

    标准时钟振荡器 MEMS Oscillator High Perf Single LVPECL Output -40C-85C 25ppm

  • DSC6331JI2FA-026.0000

    标准时钟振荡器 Spread Spectrum MEMS Oscillator, +-2.5% SS, -40C-85C, 25ppm, 2.5x2.0mm

  • DSC6311JI2FA-027.0000

    标准时钟振荡器 Spread Spectrum MEMS Oscillator, +-2.5% SS, -40C-85C, 25ppm, 2.5x2.0mm

  • DSC6311JI2CA-027.0000

    标准时钟振荡器 Spread Spectrum MEMS Oscillator, +-1.0% SS, -40C-85C, 25ppm, 2.5x2.0mm

  • DSC1004DI1-006.7800

    标准时钟振荡器 MEMS Oscillator Low Power -40C-85C 50ppm

Microchip热销型号

图片仅供参考,请参考产品描述

  • VN10KN3-G-P002

  • 制造商:Microchip Technology
  • 批号:19+
  • 描述:MOSFET N-CH Enhancmnt Mode MOSFET
  • PDF下载:pdf下载
  • 库存数量:2000+

优势价格,VN10KN3-G-P002的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。

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详细参数

  • 制造商:Microchip
  • 产品种类:MOSFET
  • RoHS:
  • 技术:Si
  • 安装风格:Through Hole
  • 封装 / 箱体:TO-92-3
  • 通道数量:1 Channel
  • 晶体管极性:N-Channel
  • Vds-漏源极击穿电压:60 V
  • Id-连续漏极电流:310 mA
  • Rds On-漏源导通电阻:7.5 Ohms
  • Vgs - 栅极-源极电压:30 V
  • 最小工作温度:- 55 C
  • 最大工作温度:+ 150 C
  • Pd-功率耗散:1 W
  • 配置:Single
  • 通道模式:Enhancement
  • 封装:Cut Tape
  • 封装:Reel
  • 高度:5.33 mm
  • 长度:5.21 mm
  • 产品:MOSFET Small Signal
  • 晶体管类型:1 N-Channel
  • 宽度:4.19 mm
  • 商标:Microchip Technology
  • 产品类型:MOSFET
  • 工厂包装数量:2000
  • 子类别:MOSFETs
  • 单位重量:453.600 mg

其它信息

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