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TC8220K6-G相关型号
Microchip热销型号

图片仅供参考,请参考产品描述

  • TC8220K6-G

  • 制造商:Microchip Technology
  • 批号:19+
  • 描述:MOSFET 2PR N- & PCH ENHANCE MODE MOSFET
  • PDF下载:pdf下载
  • 库存数量:2000+

优势价格,TC8220K6-G的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。

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详细参数

  • 制造商:Microchip
  • 产品种类:MOSFET
  • RoHS:
  • 技术:Si
  • 安装风格:SMD/SMT
  • 封装 / 箱体:DFN-12
  • 通道数量:4 Channel
  • 晶体管极性:N-Channel, P-Channel
  • Vds-漏源极击穿电压:200 V
  • Id-连续漏极电流:2.3 A
  • Rds On-漏源导通电阻:6 Ohms, 7 Ohms
  • Vgs th-栅源极阈值电压:1 V
  • Vgs - 栅极-源极电压:10 V
  • 最小工作温度:- 55 C
  • 最大工作温度:+ 150 C
  • 配置:Quad
  • 通道模式:Enhancement
  • 封装:Cut Tape
  • 封装:Reel
  • 产品:MOSFET Small Signal
  • 晶体管类型:2 N-Channel, 2 P-Channel
  • 商标:Microchip Technology
  • 正向跨导 - 最小值:400 mS, 400 mS
  • 下降时间:15 ns, 15 ns
  • 产品类型:MOSFET
  • 上升时间:15 ns, 15 ns
  • 工厂包装数量:3300
  • 子类别:MOSFETs
  • 典型关闭延迟时间:20 ns, 20 ns
  • 典型接通延迟时间:10 ns, 10 ns
  • 单位重量:41.400 mg

其它信息

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